Designação Kt315. Parâmetros de marcação Kt315
15.04.2018
Planar epitaxial de silício transistores npn digite KT315 e KT315-1. Destinam-se ao uso em amplificadores de altas, intermediárias e baixas frequências, são utilizados diretamente em equipamentos radioeletrônicos fabricados para engenharia civil e para exportação. Os transistores KT315 e KT315-1 são produzidos em uma caixa plástica com cabos flexíveis. O transistor KT315 é fabricado no pacote KT-13. Posteriormente, o KT315 passou a ser produzido no pacote KT-26 (um análogo estrangeiro do TO92), os transistores deste pacote receberam um “1” adicional na designação, por exemplo, KT315G1. A caixa protege de forma confiável o cristal do transistor contra danos mecânicos e químicos. Os transistores KT3I5H e KT315H1 são projetados para uso em televisão em cores. Os transistores KT315P e KT315R1 são projetados para uso no gravador de vídeo "Eletrônica - VM". Os transistores são feitos em projeto climático UHL e em design único, adequado para montagem manual e automatizada de equipamentos.
O transistor KT315 foi produzido pelas seguintes empresas: Elektropribor, Fryazino, Kvazar, Kiev, Continent, Zelenodolsk, Quartzite, Ordzhonikidze, Elkor Production Association, República de Kabardino-Balkaria, Nalchik, NIIPP, Tomsk, PO "Electronics", Voronezh, em Em 1970, a sua produção também foi transferida para a Polónia, para a empresa Unitra CEMI.
Como resultado das negociações em 1970, em termos de cooperação, a produção de transistores KT315 foi transferida para a Polónia pela Associação Voronezh "Electronics". Para tal, a oficina foi totalmente desmontada em Voronezh e, no menor tempo possível, juntamente com o fornecimento de materiais e componentes, foi transportada, montada e lançada em Varsóvia. Este centro de pesquisa e produção de eletrônicos, fundado em 1970, era um fabricante de semicondutores na Polônia. A Unitra CEMI acabou falindo em 1990, deixando o mercado polonês de microeletrônica aberto a empresas estrangeiras. Site do museu da empresa Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/. Ao final da existência da URSS, o número total de transistores KT315 produzidos ultrapassava 7 bilhões.
O transistor KT315 é produzido até hoje por várias empresas: CJSC Kremniy, Bryansk, SKB Elkor, República de Kabardino-Balkaria, Nalchik, fábrica NIIPP, Tomsk. O transistor KT315-1 é produzido por: Kremniy CJSC, Bryansk, Transistor Plant, República da Bielorrússia, Minsk, Eleks JSC, Aleksandrov, região de Vladimir.
Um exemplo da designação de transistores KT315 no pedido e na documentação de projeto de outros produtos: “Transistor KT315A ZhK.365.200 TU / 05”, para transistores KT315-1: “Transistor KT315A1 ZhK.365.200 TU / 02”.
Breves características técnicas dos transistores KT315 e KT315-1 são apresentadas na tabela 1.
Tabela 1 - Breves características técnicas dos transistores KT315 e KT315-1
Tipo | Estrutura | P K máx , P K * t.máx, mW | fgr, MHz | U KBO máx., U КЭR*max, EM | U EBO máx., EM | Eu K máx., mA | Eu KBO, vocêA | 21h, 21E* | CK, pF | r CE nós, Ohm | rb, Ohm | τ para, obs: |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KT315A1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315B1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315В1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315G1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315D1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Е1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Zh1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 15 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...250 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315I1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 60 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30 (10V; 1mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315H1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | – | – | – |
KT315R1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 150...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | – | – | – |
KT315A | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...120* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315B | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
KT315V | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...120* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
KT315G | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
KT315D | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40* (10k) | 6 | 100 | ≤0,6 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
KT315E | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35* (10k) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
KT315Zh | n-p-n | 100 | ≥250 | 20* (10k) | 6 | 50 | ≤0,6 | 30...250* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤25 | – | ≤800 |
KT315I | n-p-n | 100 | ≥250 | 60* (10k) | 6 | 50 | ≤0,6 | ≥30* (10V; 1mA) | ≤7 | ≤45 | – | ≤950 |
KT315N | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10k) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤5,5 | – | ≤1000 |
KT315R | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10k) | 6 | 100 | ≤0,5 | 150...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | – | ≤500 |
Observação:
1. I KBO - corrente reversa do coletor - corrente através da junção do coletor em uma determinada tensão reversa base-coletor e saída de emissor aberto, medida em U KB = 10 V;
2. I K max - a corrente CC máxima permitida do coletor;
3. U KBO max é a tensão de ruptura da base do coletor em uma determinada corrente reversa do coletor e um circuito emissor aberto;
4. U EBO max - tensão de ruptura emissor-base em uma determinada corrente reversa do emissor e circuito coletor aberto;
5. U КЭR max - tensão de ruptura coletor-emissor em uma determinada corrente de coletor e uma determinada resistência (final) no circuito base-emissor;
6. P K.t max - dissipação de potência constante do coletor com dissipador de calor;
7. P K max - dissipação de potência constante máxima permitida do coletor;
8. r b - resistência de base;
9. r KE us - resistência de saturação entre coletor e emissor;
10. C K - capacitância da junção do coletor, medida em U K = 10 V;
11. f grp - frequência de corte do coeficiente de transferência de corrente do transistor para o circuito com emissor comum;
12. h 2le - coeficiente de realimentação de tensão do transistor no modo de baixo sinal para circuitos com emissor comum e base comum, respectivamente;
13. h 2lЭ - para um circuito com emissor comum em modo de sinal grande;
14. τ to - a constante de tempo do circuito de feedback em alta frequência.
Dimensões do transistor KT315
Transistor tipo caixa KT-13. A massa de um transistor não é superior a 0,2 G. A magnitude da força de tração é de 5 N (0,5 kgf). A distância mínima da curva de saída do corpo é de 1 mm (marcada como L1 na figura). Temperatura de soldagem (235 ± 5) °С, distância do corpo ao ponto de soldagem 1 mm, tempo de soldagem (2 ± 0,5) s. Os transistores devem suportar o calor gerado na temperatura de soldagem (260 ± 5) °C por 4 segundos. As conclusões devem permanecer soldáveis por 12 meses a partir da data de fabricação, observadas as modalidades e regras de soldagem especificadas na seção “Instruções de Operação”. Os transistores são resistentes à mistura álcool-gasolina (1:1). Os transistores KT315 são à prova de fogo. As dimensões gerais do transistor KT315 são mostradas na Figura 1.
Figura 1 - Marcação, pinagem e dimensões gerais do transistor KT315
Dimensões do transistor KT315-1
Transistor tipo caixa KT-26. A massa de um transistor não é superior a 0,3 G. A distância mínima da curva do cabo da caixa é de 2 mm (indicada como L1 na figura). Temperatura de soldagem (235 ± 5) °С, distância do corpo ao ponto de soldagem de pelo menos 2 mm, tempo de soldagem (2 ± 0,5) s. Os transistores KT315-1 são à prova de fogo. As dimensões gerais do transistor KT315-1 são mostradas na Figura 2.
Figura 2 - Marcação, pinagem e dimensões gerais do transistor KT315-1
pinagem do transistor
Se você colocar o transistor KT315 com a marcação afastada de você (como mostrado na Figura 1) com os pinos voltados para baixo, o pino esquerdo será a base, o pino central será o coletor e o pino direito será o emissor.
Se você colocar o transistor KT315-1 ao contrário com a marcação voltada para você (conforme mostrado na Figura 2) com os pinos também para baixo, então o pino esquerdo é o emissor, o pino central é o coletor e o pino direito é o base.
Marcação de transistor
Transistor KT315. O tipo de transistor está indicado na etiqueta, e o grupo foi indicado em forma de letra na caixa do aparelho. A caixa indica o nome completo do transistor ou apenas a letra, que é deslocada para a borda esquerda da caixa. A marca registrada da planta não pode ser indicada. A data de emissão é colocada em designação digital ou codificada (neste caso, apenas pode ser indicado o ano de emissão). O ponto na marcação do transistor indica sua aplicabilidade - como parte da televisão em cores. Os antigos transistores KT315 (produzidos antes de 1971) eram marcados com uma letra no meio da caixa. Ao mesmo tempo, os primeiros números foram marcados com apenas uma letra maiúscula e, por volta de 1971, mudaram para as habituais duas linhas. Um exemplo de marcação de um transistor KT315 é mostrado na Figura 1. Deve-se notar também que o transistor KT315 foi o primeiro transistor codificado em massa em uma caixa de plástico em miniatura KT-13. A grande maioria dos transistores KT315 e KT361 (as características são as mesmas do KT315 e a condutividade p-n-p) foram lançadas em caixas amarelas ou vermelho-laranja; os transistores rosa, verde e preto são muito menos comuns. Além da letra que indica o grupo, a marca da planta e a data de fabricação, a marcação dos transistores destinados à venda também incluía o preço de varejo, por exemplo, “ts20k”, que significava o preço de 20 copeques.
Transistor KT315-1. O tipo de transistor também está indicado na etiqueta, e o nome completo do transistor está indicado na caixa, e os transistores também podem ser marcados com um código. Um exemplo de marcação de um transistor KT315-1 é mostrado na Figura 2. A marcação de um transistor com uma marca de código é mostrada na Tabela 2.
Tabela 2 - Marcação do transistor KT315-1 com marca de código
tipo de transistor | Marca de marcação no corte superfície lateral do corpo | Marca de marcação no final do corpo |
---|---|---|
KT315A1 | triângulo verde | ponto vermelho |
KT315B1 | triângulo verde | ponto amarelo |
KT315В1 | triângulo verde | ponto Verde |
KT315G1 | triângulo verde | Ponto cor azul |
KT315D1 | triângulo verde | Ponto de cor azul |
KT315Е1 | triângulo verde | Ponto cor branca |
KT315Zh1 | triângulo verde | dois pontos vermelhos |
KT315I1 | triângulo verde | dois pontos amarelos |
KT315H1 | triângulo verde | dois pontos verdes |
KT315R1 | triângulo verde | dois pontos azuis |
Instruções para uso e operação de transistores
A principal finalidade dos transistores é atuar em estágios amplificadores e outros circuitos de equipamentos eletrônicos. É permitida a utilização de transistores fabricados na versão climática usual em equipamentos projetados para operação em todas as condições climáticas, quando os transistores são revestidos diretamente no equipamento com vernizes (em 3 - 4 camadas) do tipo UR-231 conforme TU 6 -21-14 ou EP-730 de acordo com GOST 20824 seguido de secagem. O valor permitido do potencial estático é 500 V. A distância mínima permitida da caixa até o local de estanhamento e soldagem (ao longo do comprimento do cabo) é de 1 mm para o transistor KT315 e 2 mm para o transistor KT315-1. O número de resoldas permitidas de pinos durante as operações de montagem (montagem) é um.
Fatores de influência externa
Impactos mecânicos para grupo 2 tabela 1 em GOST 11630, incluindo:
– vibração sinusoidal;
– faixa de frequência 1-2000 Hz;
– amplitude de aceleração 100 m/s 2 (10g);
– aceleração linear 1000 m/s 2 (100g).
Impactos climáticos - de acordo com GOST 11630, incluindo: aumento da temperatura operacional do meio em 100 °C; temperatura operacional reduzida do meio menos 60 °C; mudança da temperatura média de menos 60 para 100 °С. Para transistores KT315-1, a mudança na temperatura do meio de menos 45 para 100 °C
Confiabilidade do Transistor
A taxa de falha dos transistores durante o tempo de operação é superior a 3×10 -7 1/h. Tempo de operação dos transistores t n = 50.000 horas. Vida útil de 98% do transistor de 12 anos. A embalagem deve proteger os transistores da eletricidade estática.
Análogos estrangeiros do transistor KT315
Análogos estrangeiros do transistor KT315 são mostrados na Tabela 3.
Tabela 3 - Análogos estrangeiros do transistor KT315
Doméstico transistor | Estrangeiro análogo | Empresa fabricante | Um país fabricante |
---|---|---|---|
KT315A | BFP719 | Unidade CEMI | Polônia |
KT315B | BFP720 | Unidade CEMI | Polônia |
KT315V | BFP721 | Unidade CEMI | Polônia |
KT315G | BFP722 | Unidade CEMI | Polônia |
KT315D | 2SC641 | Hitachi | Japão |
KT315E | 2N3397 | Semicondutor Central | EUA |
KT315Zh | 2N2711 | Sprague Electric Corp. | EUA |
BFY37, BFY37i | ITT Intermetall GmbH | Alemanha | |
KT315I | 2SC634 | Semicondutor de Nova Jersey | EUA |
Sony | Japão | ||
KT315N | 2SC633 | Sony | Japão |
KT315R | BFP722 | Unidade CEMI | Polônia |
O protótipo estrangeiro do transistor KT315-1 são os transistores 2SC544, 2SC545, 2SC546, Sanyo Electric, Japão.
Principal especificações
Os principais parâmetros elétricos dos transistores KT315 na aceitação e entrega são fornecidos na Tabela 4. Os modos de operação máximos permitidos do transistor são fornecidos na Tabela 5. As características de corrente-tensão dos transistores KT315 são mostradas nas Figuras 3 - 8. As dependências de os parâmetros elétricos dos transistores KT315 sobre os modos e condições de sua operação são apresentados nas figuras 9 a 19.
Tabela 4 - Parâmetros elétricos dos transistores KT315 na aceitação e entrega
Nome do parâmetro (modo de medição) unidades | Carta designação | Norma parâmetro | Temperatura, °C | |
---|---|---|---|---|
pelo menos | não mais | |||
Tensão limite (I C =10 mA), V KT315A, KT315B, KT315Zh, KT315N KT315V, KT315D, KT315I KT315G, KT315E, KT315R | Você (CEO) | 15 30 25 | – | 25 |
(I C =20 mA, I B =2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315R KT315D, KT315E KT315Zh KT315I | UCEsat | – | 0,4 |
|
Tensão de saturação coletor-emissor (I C = 70 mA, I B = 3,5 mA), V KT315N | UCEsat | – | 0,4 | |
Tensão de saturação base-emissor (I C =20 mA, I B =2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KTZ I5P KT315D, KT315E KT315Zh KT315I | Você está sentado | – | 1,0 |
|
KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E, KT315J, KG315I | Eu CBO | – | 0,5 0,6 | 25, -60 |
Corrente reversa do coletor (U CB = 10 V), μA KT3I5A KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E | Eu CBO | – | 10 15 | 100 |
Corrente reversa do emissor (U EB \u003d 5 V) μA KT315A - KG315E, KT315Zh, XT315N KT315I KT315R | Eu EBO | – | 30 50 3 | 25 |
, (R BE =10 kOhm U CE =25 V), mA, KT3I5A (R BE = 10 kOhm U CE = 20 V), mA, KT315B, KT315N (R BE = 10 kOhm U CE = 40 V), mA KT315V (R BE = 10 kOhm U CE = 35 V), mA, KT315G (R BE = 10 kOhm U CE = 40 V), mA, KT315D (R BE = 10 kOhm U CE = 35 V), mA, KT315E | EU CER | – | 0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005 |
|
(R BE = 10 kOhm U CE = 35 V), mA, KT315R | EU CER | – | 0,01 | 100 |
Corrente reversa coletor-emissor (U CE =20 V), mA, KT315ZH (U CE =60 V), mA, KT315I | Eu CES | – | 0,01 0,1 | 25, -60 |
Corrente reversa coletor-emissor (U CE =20 V), mA, KT3I5Ж (U CE =60 V), mA, KT3I5I | Eu CES | – | 0,1 0,2 | 100 |
(U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KT315D KT315Zh KT315I KT315R | 21h00 | 30 | 120 | 25 |
Taxa de transferência de corrente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KT315D KT315Zh KT315I KT315R | 21h00 | 30 | 250 | 100 |
Taxa de transferência de corrente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KTZ15B, KT315G, KT315E, KT315N KT315D KT315Zh KT315I KT315R | 21h00 | 5 | 120 | -60 |
Módulo de taxa de transferência atual em alta frequência (U CB = 10 V, I E = 5 mA, f = 100 MHz) | |h 21E | | 2,5 | – | 25 |
capacitância da junção do coletor (UCB = 10 V, f = 10 MHz), pF | C C | – | 7 | 25 |
Tabela 5 - Modos de operação máximos permitidos do transistor KT315
Parâmetro, unidade | Designação | Norma de parâmetro | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KG315A | KG315B | KG315V | KG315G | KTZ15D | KG315E | KG315J | KG315I | KT315N | KT315R | ||
Máx. tensão CC coletor-emissor permitida, (R BE = 10 kOhm), V 1) | U CERmax | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
Máx. tensão coletor-emissor constante permitida em caso de curto-circuito no circuito emissor-base, V 1) | U CES máx. | – | – | – | – | – | – | 20 | 60 | – | – |
Máx. base do coletor de tensão CC permitida, V 1) | UCB máx. | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
Máx. base emissora de tensão constante permitida, V 1) | U EB máx. | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
Máx. corrente CC permitida do coletor, mA 1) | Eu Cmax | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Máx. dissipação de potência constante permitida do coletor, mW 2) | PC máx. | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
Máx. temperatura de transição permitida, ⁰С | tj máximo | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 |
Observação:
1. Para toda a faixa de temperatura operacional.
2. Em t atv de menos 60 a 25 °С. Quando a temperatura sobe acima de 25 °C, P C max é calculado pela fórmula:
onde R t hjα é a resistência térmica total do ambiente de transição, igual a 0,5 °C/mW.
Figura 3 - Característica típica de entrada dos transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315RFigura 4 - Característica típica de entrada dos transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315R
em U CE \u003d 0, t atv \u003d (25 ± 10) ° С Figura 5 – Características típicas de saída de transistores como KT315A, KT315V, KT315D, KT315I
em t atv = (25±10) °С Figura 6 – Características típicas de saída de transistores como KT315B, KT315G, KT315E, KT315N
em t atv = (25±10) °С Figura 7 – Características típicas de saída
transistor KT315Zh em t atv = (25±10) °С Figura 8 – Características típicas de saída
transistor KT315R em t atv = (25±10) °С Figura 9 - A dependência da tensão de saturação coletor-emissor em corrente direta coletor para transistores do tipo KT315A - KT315I, KT315N, KT315R em I C / I B = 10,
t atv \u003d (25 ± 10) °С Figura 10 - Dependência da tensão de saturação base-emissor da corrente do coletor DC para transistores do tipo KT315A - KT315I, KT315N, KT315R em I C / I B = 10, t atv = (25 ± 10) ° С Figura 11 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente constante do emissor para transistores KT315A, KT315V, KT315D, KT315I em U CB = 10,
t atv \u003d (25 ± 10) °С Figura 12 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente contínua do emissor para transistores KT315B, KT315G, KT315E, KT315N em U CB = 10,
t atv \u003d (25 ± 10) °С Figura 13 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente constante do emissor para o transistor KT315Zh em U CB = 10, t atv = (25±10) °С Figura 14 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente constante do emissor para o transistor KT315R em U CB = 10, t atv = (25 ± 10) ° С Figura 15 - Dependência do módulo do coeficiente de transferência de corrente em alta frequência da corrente contínua do emissor em U CB = 10, f = 100 MHz, t atv = (25±10) °С Figura 16 - Dependência da constante de tempo do circuito de realimentação em alta frequência da tensão coletor-base em I E = 5 mA, t atv = (25 ± 10) ° С para KT315A Figura 17 - Dependência da constante de tempo do circuito de feedback em alta frequência da tensão base do coletor em I E \u003d 5 mA, t atv \u003d (25 ± 10) ° С para KT315E, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R Figura 18 - Dependência da constante de tempo do circuito de realimentação em alta frequência da corrente do emissor em U CB = 10 V, f = 5 MHz, t atv = (25 ± 10) ° С para
KT315A
Esta é uma verdadeira lenda no mundo da rádio eletrônica! O transistor KT315 foi desenvolvido na União Soviética e durante décadas ocupou a palma da mão entre essas tecnologias. Por que ele merecia tal reconhecimento?
Transistor KT315
O que pode ser dito sobre esta lenda? KT315 é um transistor bipolar de silício de alta frequência e baixa potência. Ele tem condutividade n-p-n. É feito no case KT-13. Devido à sua versatilidade, recebeu a mais ampla distribuição em equipamentos radioeletrônicos de fabricação soviética. Qual é o análogo do transistor KT315? Existem alguns deles: BC847B, BFP722, 2SC634, 2SC641, 2SC380, 2SC388, BC546, KT3102.
Desenvolvimento
Pela primeira vez, a ideia de criar tal dispositivo entre cientistas e engenheiros soviéticos surgiu em 1966. Por ter sido criado para posteriormente transformá-lo em produção em massa, o desenvolvimento do próprio transistor e dos equipamentos para sua fabricação foi confiado ao Pulsar Research Institute, à fábrica de semicondutores Fryazinsky e ao departamento de design localizado em seu território. O ano de 1967 foi uma preparação activa e criação de condições. E em 1968, foram lançados os primeiros dispositivos eletrônicos, hoje conhecidos como transistor KT315. Tornou-se o primeiro dispositivo desse tipo produzido em massa. A marcação dos transistores KT315 é a seguinte: inicialmente, foi colocada uma letra no canto superior esquerdo do lado plano, que denotava o grupo. Às vezes, a data de fabricação também era indicada. Alguns anos depois, começou a produção de transistores complementares KT361 com condutividade p-n-p na mesma embalagem. Para distingui-los no meio da parte superior, foi colocada uma marca. Para o desenvolvimento do transistor KT315 em 1973, foi concedido o Prêmio de Estado da URSS.
Tecnologia
Quando o transistor KT315 começou a ser produzido, uma nova tecnologia foi testada simultaneamente - planar-epitaxial. Isso implica que todas as estruturas dos dispositivos sejam criadas no mesmo lado. Quais são os requisitos do transistor KT315? Os parâmetros do material de origem devem ter o mesmo tipo de condutividade do coletor. E para começar é feita a formação da região da base, e só então - do emissor. Essa tecnologia foi um marco muito importante no desenvolvimento da indústria radioeletrônica soviética, pois permitiu aproximar-se da fabricação de circuitos integrados sem a utilização de substrato dielétrico. Até o surgimento deste dispositivo, os dispositivos de baixa frequência eram feitos pelo método da liga e os dispositivos de alta frequência pelo método de difusão.
Podemos dizer com segurança que os parâmetros que o dispositivo concluído possuía foram um verdadeiro avanço para a época. Por que dizem isso sobre o transistor KT315? Parâmetros - é por isso que falaram assim dele! Portanto, se o compararmos com o moderno transistor de germânio GT308 de alta frequência, ele o excede em potência em 1,5 vezes. A frequência de corte é mais de 2 vezes e a corrente máxima do coletor geralmente é 3. E, ao mesmo tempo, o transistor KT315 era muito mais barato. Ele conseguiu substituir o MP37 de baixa frequência, pois com igual potência tinha um coeficiente de transferência de corrente base maior. Além disso, o melhor desempenho foi na corrente máxima de pulso e o KT315 apresentou estabilidade de temperatura superior. Graças ao uso de silício, esse transistor poderia operar por dezenas de minutos em corrente moderada, mesmo se houvesse um ponto de fusão de solda por perto. É verdade que trabalhar nessas condições piorou um pouco as características do aparelho, mas não falhou de forma irreversível.
Aplicações e Tecnologias Complementares
O transistor KT315 encontrou ampla aplicação em circuitos amplificadores de áudio, intermediários e de alta frequência. Uma adição importante foi o desenvolvimento do KT361 complementar. Em pares, eles encontraram sua aplicação em circuitos push-pull sem transformador.
Conclusão
Ao mesmo tempo, este dispositivo desempenhou um papel importante na construção de vários circuitos. Chegou ao ponto que nas lojas de rádios amadores da época da União Soviética eles eram vendidos não por peça, mas por peso. Isso foi ao mesmo tempo um indicador de popularidade e falou da capacidade de produção direcionada para a criação de tais dispositivos. Além disso, eles são tão populares que os rádios amadores ainda usam esses transistores em alguns circuitos. Não é de admirar, porque você pode comprá-los agora. Embora nem sempre seja necessário comprar - às vezes basta desmontar equipamentos originários da URSS.
Olá pessoal! Como tenho uma rolha para cada barril, não posso ignorar um tema tão importante!
Extraído da Wikipedia com minhas adições:
- um tipo de transistor bipolar de silício, condutividade n-p-n, que é mais amplamente utilizado em equipamentos radioeletrônicos soviéticos.
Em 1966, A. I. Shokin (na época Ministro da Indústria Eletrônica da URSS) leu na revista Electronics a notícia sobre o desenvolvimento nos EUA de um transistor tecnologicamente adaptado para produção em massa pelo método de montagem em fita contínua em magnético tambores de armazenamento. O desenvolvimento do transistor e do equipamento para produção foi realizado pelo Pulsar Research Institute, pela Fryazinsky Semiconductor Plant e seu Design Bureau. Já em 1967 (!) Foram feitos preparativos para o lançamento da produção em massa, e em 1968 (!) Foram produzidos os primeiros dispositivos eletrônicos baseados no KT315.
Assim, o KT315 se tornou o primeiro transistor com marca de código de consumo barato produzido em massa em uma caixa de plástico em miniatura KT-13. Nele, no canto superior esquerdo (e às vezes no canto superior direito) do lado plano, foi colocada uma carta indicando o grupo, abaixo foi indicada a data de fabricação (em formato digital ou criptografia de letras). Havia também um símbolo do fabricante.
O desenvolvimento do KT315 foi premiado em 1973 com o Prêmio de Estado da URSS.
Alguns anos depois, no mesmo pacote KT-13, começaram a produzir um transistor com condutividade p-n-p - KT361. Para distingui-lo do KT315, a letra que denota o grupo foi colocada no meio da parte superior na parte plana da caixa, também incluída em um “traço”.
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Também satisfeito com sua variedade de cores:
Começando com laranja escuro e terminando com preto)))
E eu já tenho o KT315 em 1994.
Na ilustração abaixo, forneço uma imagem do próprio transistor (em este casoà esquerda está KT315G, à direita está KT361G) e uma exibição gráfica condicional nos diagramas de circuitos de transistores bipolares de ambas as condutividades.
A pinagem também é indicada (é a mesma para eles), e as conclusões dos transistores são indicadas na imagem gráfica - PARA colecionador, B aza, E mitra.
Quase em todos os quadros da produção nacional (leia produção uma vez ex-URSS) usaram esses transistores baratos e de baixa potência. Depois de soldá-los, os então rádios amadores usaram com sucesso esses amigos de três patas em seus trabalhos manuais. Como mostra a prática, quase sempre eles eram úteis. Mas ainda assim, às vezes os “mortos” também aparecem (uma transição está quebrada / em curto - resistência elétrica = 0, ou está quebrada - resistência elétrica= infinito). Também raramente encontrei um defeito de fábrica (um transistor completamente novo estava “morto”), e a marcação da categoria “ajustador automático de linha em produção, tio Vanya, antes de lançar o próximo lote de transistores para “estampagem”, grunhiu para restaurar a força 100-150 gr. »:)
Simplesmente não está claro se a letra do transistor está à esquerda ou à direita. Havia transistores com marcações da categoria “a letra não está à esquerda, nem à direita, nem no meio”.))))
Para combater esses problemas, qualquer dispositivo utilizável para verificar transições PN vem em nosso auxílio. Com ele podemos fazer o teste mais simples de transistores. Como sabemos, os transistores bipolares NPN e PNP podem ser condicionalmente (e apenas condicionalmente! Dois diodos separados NUNCA substituirão um transistor bipolar!) Presentes como junções PN únicas. Voltamos à ilustração acima e observamos no canto inferior esquerdo o equivalente ao transistor NPN KT315 exibido exclusivamente “para verificação pelo dispositivo” na forma de dois diodos VD1, VD2.
Como o transistor KT361 de condutividade oposta é PNP, os diodos em seu circuito equivalente simplesmente mudam de polaridade (ilustração abaixo, à direita).
Vamos praticar - verificaremos a capacidade de manutenção do nosso querido KT315. Pegamos um multímetro que está à mão.
Um dos meus testadores:
Ligar. Um testador com seleção automática de limites de medição, mas isso não vai nos prejudicar :)
2 - coloque a chave no modo "discagem", meça semicondutores, meça a resistência elétrica.
3 - botão seleção manual definir o modo "teste de semicondutor"
1 - uma exibição gráfica condicional do diodo é exibida à esquerda do indicador LCD.
Pode-se observar na figura acima que para os transistores NPN (que é o nosso KT315), ao medir o Base-Emissor e o Base-Coletor, o dispositivo de medição deve mostrar a presença de uma junção PN (um diodo de silício convencional no estado aberto nesse caso). Se a ponta de prova do testador com potencial negativo (para todos os Testadores chinesesé preto) conecte à base do transistor, e a ponta de prova com potencial positivo (padrão - preto) ao emissor ou coletor (que corresponde às verificações da base do emissor e da base do coletor), então uma corrente insignificante fluirá através de diodos condicionais (corrente de fuga reversa, geralmente microamperes), que o dispositivo não exibirá, ou seja, os diodos estarão no estado fechado - sua resistência é igual ao infinito. Nós tentamos:
Verificação do emissor base. O dispositivo mostra uma queda de tensão quase padrão em um diodo de silício = 0,7V; em corrente quase padrão para multímetros.
Verificação do emissor base. Novamente, de acordo com o desenho de teste do transistor, vemos a mesma queda de tensão = 0,7V na mesma junção PN.
Conclusão - com conexão direta, ambas as transições são absolutamente úteis.
Se o dispositivo mostrasse uma queda de tensão próxima de zero ou o testador gritasse no modo “discagem”, isso sinalizaria um curto-circuito em uma das transições testadas. Se o dispositivo mostrasse uma queda de tensão infinita ou uma resistência infinita, isso sinalizaria uma abertura nesta transição medida.
As pernas do emissor-coletor também não devem “tocar” em nenhuma das direções.
Agora vamos verificar a capacidade de manutenção do transistor PNP, no nosso caso KT361.
Pela mesma figura acima (à direita, abaixo), pode-se observar que transistores desta condutividade possuem junções PN base emissor e base coletor (como eu disse exatamente o oposto da estrutura de um transistor NPN, as polaridades de mudança de semicondutores).
Nós verificamos:
Na junção PN, a queda emissor-base é de 0,7V. Avançar:
A base do coletor também é de 0,7V. Não há curto-circuito ou interrupção em nenhuma das transições. Diagnóstico - o transistor está funcionando. Vamos soldar!
Versículo sobre KT315(lurkmore.ru/CT315)
Você foi criado para HF
Mas soldado mesmo no ULF.
Você monitorou a tensão na PSU,
E ele comeu de IP.
Você trabalhou no GVCh e GNL,
Você até foi preso na UPC.
Você é um bom gerador
Amplificador, interruptor.
Você vale cada centavo
Mas os microchips vieram para substituir você.
Para resolver os problemas de criação de uma indústria electrónica praticamente do zero nas condições existentes e sem a participação da cooperação mundial, foi necessário pensar num programa claro com uma abordagem integrada baseada numa combinação de uma compreensão profunda da ciência e problemas técnicos da eletrônica com um conhecimento igualmente profundo das leis da produção industrial. E tal programa para a transformação da indústria eletrônica da URSS em uma das indústrias mais poderosas economia nacional foi suportado, sofrido e desenvolvido pelo ministro e seus associados. Como resultado da sua implementação, a União Soviética para o período de 1960 a 1990. ficou em terceiro lugar no mundo na produção de componentes eletrônicos (e em certos tipos, e em segundo e até em primeiro). O único país do mundo que tinha a capacidade de fornecer totalmente todos os tipos modernos de armas próprias base do elemento foi a União Soviética.
No início da década de 90, a produção total de transistores KT315 em quatro fábricas do setor era de cerca de 7 bilhões de peças, centenas de milhões foram exportadas, uma licença para tecnologia de produção e um conjunto de equipamentos foram vendidos no exterior.
Então o conto de fadas acabou, obrigado pela atenção,
Seu:)
Ame CT-shki e lembre-se do ditado: "sem CT - nem aqui nem ali".))))
Talvez não exista algo mais ou menos complexo aparelho eletrônico, produzido na URSS durante as décadas de setenta, oitenta e noventa, em cujo circuito não seria utilizado o transistor KT315. Ele não perdeu popularidade até hoje.
Existem várias razões para esta prevalência. Primeiro, sua qualidade. Graças ao método da correia transportadora, revolucionário no final dos anos sessenta, o custo de produção foi reduzido ao mínimo com indicadores técnicos muito bons. Daí a segunda vantagem - um preço acessível que permite o uso de transistores KT315 em eletrônicos industriais e de consumo de massa, bem como em dispositivos de rádio amador.
A designação utiliza a letra K, que significa "silício", como a maioria dos dispositivos semicondutores fabricados desde então. O número “3” significa que o transistor KT315 pertence ao grupo de dispositivos de banda larga de baixa potência.
A caixa de plástico não implicava alta potência, mas era barata.
O transistor KT315 foi produzido em duas versões, plana (laranja ou amarela) e cilíndrica (preta).
Para facilitar a determinação da forma de montagem, é feito um chanfro na sua parte “frontal” em versão plana, o coletor fica no meio, a base fica à esquerda, o coletor fica à direita.
O transistor preto tinha um corte plano, se você colocar o transistor voltado para você, o emissor fica à direita, o coletor fica à esquerda e a base fica no meio.
A marcação consistia em uma letra, dependendo da tensão de alimentação permitida, de 15 a 60 volts. A potência também depende da letra, pode chegar a 150 mW, e isso com dimensões microscópicas para aquela época - a largura é sete, a altura é seis e a espessura é inferior a três milímetros.
O transistor KT315 é de alta frequência, o que explica a amplitude de sua aplicação. até 250 MHz garante seu funcionamento estável em circuitos de rádio de receptores e transmissores, bem como em amplificadores de alcance.
Condutividade - reversa, n-p-n. Para um par, ao utilizar um circuito de amplificação push-pull, foi criado o KT361, com condução direta. Externamente, esses “irmãos gêmeos” praticamente não diferem, apenas a presença de duas marcas pretas indica condutividade p-n-p. Outra opção de marcação, a letra fica exatamente no meio da caixa, e não na borda.
Apesar de todas as suas vantagens, o transistor KT315 também tem uma desvantagem. Seus terminais são planos, finos e quebram com muita facilidade, por isso a instalação deve ser feita com muito cuidado. Porém, mesmo depois de estragar a peça, muitos radioamadores conseguiram consertá-la serrando um pouco o corpo e “mergulhando” o fio, embora isso seja difícil, e não houvesse nenhum ponto especial.
O caso é tão peculiar que indica com precisão a origem soviética do KT315. Você pode encontrar um análogo para ele, por exemplo, BC546V ou 2N9014 - de importações, KT503, KT342 ou KT3102 - de nossos transistores, mas o baixo custo recorde torna esses truques sem sentido.
Bilhões de KT315 foram produzidos e, embora existam microcircuitos nos quais dezenas e centenas desses dispositivos semicondutores são construídos em nosso tempo, às vezes eles ainda são usados para montar circuitos auxiliares simples.
O transistor KT315, um dos transistores domésticos mais populares, foi colocado em produção em 1967. Produzido inicialmente em caixa plástica KT-13.
Pinagem KT315
Se você colocar o KT315 com as marcações voltadas para você e os pinos voltados para baixo, o pino esquerdo será o emissor, o pino central será o coletor e o pino direito será a base.
Posteriormente, o KT315 passou a ser produzido no pacote KT-26 (análogo estrangeiro do TO92), os transistores deste pacote receberam um “1” adicional na designação, por exemplo, KT315G1. A pinagem do KT315 neste caso é a mesma do KT-13.
Parâmetros KT315
KT315 é um transistor bipolar de alta frequência de silício de baixa potência com estrutura n-p-n. Possui um análogo complementar do KT361 com uma estrutura p-n-p.
Ambos os transistores foram projetados para funcionar em circuitos amplificadores, tanto de áudio quanto de frequências intermediárias e altas.
Mas devido ao fato de as características deste transistor serem inovadoras e o custo ser inferior aos análogos de germânio existentes, o KT315 encontrou a mais ampla aplicação na tecnologia eletrônica nacional.
A frequência de corte do coeficiente de transferência de corrente em um circuito com emissor comum ( fgr.) – 250MHz.
A dissipação de potência constante máxima permitida do coletor sem dissipador de calor ( P ao máximo)
- Para KT315A, B, C, D, D, E - 0,15 W;
- Para KT315Zh, I, N, R - 0,1W.
Corrente máxima permitida do coletor CC ( Eu ao máximo)
- Para KT315A, B, C, D, D, E, N, R - 100 mA;
- Para KT315ZH, eu - 50 mA.
Base-emissor de tensão constante - 6V.
Os principais parâmetros elétricos do KT315, que dependem da letra, são apresentados na tabela.
- Você kbo- A tensão máxima permitida na base do coletor,
- Você está- A tensão coletor-emissor máxima permitida,
- 21h- Coeficiente de transferência de corrente estática de um transistor bipolar em um circuito emissor comum,
- Eu sei- Corrente reversa do coletor.
nome | U kbo e U keo, V | 21h | Eu kbo, uA |
---|---|---|---|
KT315A | 25 | 30-120 | ≤0,5 |
KT315B | 20 | 50-350 | ≤0,5 |
KT315V | 40 | 30-120 | ≤0,5 |
KT315G | 35 | 50-350 | ≤0,5 |
KT315G1 | 35 | 100-350 | ≤0,5 |
KT315D | 40 | 20-90 | ≤0,6 |
KT315E | 35 | 50-350 | ≤0,6 |
KT315Zh | 20 | 30-250 | ≤0,01 |
KT315I | 60 | ≥30 | ≤0,1 |
KT315N | 20 | 50-350 | ≤0,6 |
KT315R | 35 | 150-350 | ≤0,5 |
Marcação dos transistores KT315 e KT361
Foi com o KT315 que começou a designação codificada dos transistores domésticos. Me deparei com o KT315 com marcações completas, mas muito mais frequentemente com uma única letra do nome deslocada ligeiramente para a esquerda do centro, à direita da letra estava o logotipo da fábrica que produziu o transistor. Os transistores KT361 também foram marcados com uma letra, mas a letra estava localizada no centro e havia traços à esquerda e à direita dela.
E, claro, o KT315 possui análogos estrangeiros, por exemplo: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.
Pinagem KT315, parâmetros KT315, características KT315: 20 comentários
- Greg
Sim, o lendário casal ruivo! Uma tentativa legada por uma pessoa lendária - e iremos por outro caminho. Não funcionou, infelizmente. Pois bem, foi preciso pensar nisso, tirar conclusões tão inconvenientes, permitindo dobrar em apenas uma direção: provavelmente não se trata de engenharia, mas decisão política) Mas apesar disso, ou talvez por causa disso, além de uma cor festiva brilhante... a mais brilhante, a mais envolvente, estilosa, brutal e inesquecível! Eu daria a ele um Oscar e um Prêmio Nobel ao mesmo tempo.
Depois de trocar de roupa - um detalhe comum e medíocre, entre milhares de similares (
PS O corpo mudou porque equipamento de produção, com o tempo, foram substituídos por importados, e suas máquinas não foram projetadas para esse tipo de doce.- administrador Autor da postagem
O problema não era que os cabos foram moldados em apenas um plano (por exemplo, nos casos TO-247, os cabos também são planos), mas que eram largos (largura 0,95 mm, espessura 0,2 mm) e localizados próximos (folga 1 0,55 mm). Foi muito inconveniente criar a placa - não dá para perder o caminho entre os cabos, e foi necessário furar sob o KT-13 com uma broca de 1,2 mm. Para outros componentes, 1 mm ou até 0,8 mm foi suficiente.
O KT315 foi o primeiro transistor doméstico fabricado com tecnologia epitaxial planar e, depois de algumas décadas, já se tornou medíocre entre os mais jovens. E claro, na década de 80, em vez de KT315/KT361, era mais conveniente colocar KT208/KT209, KT502/KT503 ou KT3102/KT3107, dependendo das tarefas que o transistor enfrentava.
E duvido que o casco do KT-13 tenha sido uma invenção doméstica, parece que havia peças japonesas nesses cascos, então provavelmente eles adotaram sem sucesso a experiência de outra pessoa ...
- administrador Autor da postagem
- Greg
O Oriente é um assunto delicado... Em meados do século passado, houve uma luta obstinada entre as superpotências pela redistribuição das esferas de influência. Alguém, Japão - bombas e alguém - tecnologia. E os astutos japoneses aceitaram qualquer ajuda e agarraram tudo que deram... Aí, claro, escolheram o melhor, que significa tecnológico. Eles, pessoas pouco criativas, venceram - Tecno-Lógica) A URSS não só construiu para eles a primeira fábrica de rádios, mas também a primeira fábrica de automóveis, por exemplo. No futuro, os carros produzidos começaram a diferir dos nossos tanto quanto os componentes de rádio. A questão da prioridade aqui é discutível, devido à amizade internacional e à compatibilidade dos desenvolvimentos de então.
- Vova
A URSS vendeu licenças para a produção do KT315 no exterior, aparentemente os japoneses também compraram uma. E, em geral, toda a linha de produção do KT315 de Voronezh foi entregue à Polônia. Aparentemente no âmbito do programa de apoio aos países do campo social.
- Vova
- Chupacabra
Em termos de popularidade, apenas o MP42B pode ser comparado ao KT315.
Não encontrei KT315 com letras estranhas, descobri que eram transistores especializados:
- KT315I foram projetados para comutação de circuitos de segmentos de indicadores fluorescentes a vácuo;
- KT315N foram projetados para uso em televisão em cores;
- KT315R foram projetados para gravadores de vídeo "Electronics-VM".
- oleksander
Sim, não são conclusões convenientes, mas não havia outros transistores na época. Recentemente, há 20 anos, esses transistores estão prontamente disponíveis, você pode obtê-los gratuitamente. Não vai queimar, é bom para iniciantes. Solde bem em protoboards.
- raiz
Sim, eles têm corpos normais. Flat, você pode colocar dezenas em uma linha a uma distância mínima umas das outras, assim como não pode colocar transistores no TO-92. É relevante quando há muitos deles na placa, por exemplo, chaves para VLI multissegmento. Os cabos de fita (uma homenagem à capacidade de fabricação da produção de transistores) também não criam nenhum inconveniente especial, não vejo uma necessidade urgente de dobrar os cabos em diferentes direções. Não dobramos as conclusões dos microcircuitos e isso não interfere em nada no rastreamento.
Nunca pensei na largura dos pinos KT315. Sempre furei tudo principalmente com broca de 0,8 mm e a 315_e (que tenho um pote de meio litro comprado na ocasião no mercado) sempre encaixou normalmente, sem nenhuma violência de minha parte.
- raiz
Por curiosidade. Li em algum site sobre a fabricação do estágio de saída de um poderoso conversor de frequência ultrassônico em dezenas de KT315 e KT361 paralelos. Os transistores estão alinhados com as superfícies laterais entre si e são fixados entre placas de alumínio com pasta térmica. Não me lembro das características do amplificador, e o autor deste projeto está em alta qualidade sound não contava em fazer UMZCH no 315_x como curiosidade técnica.
Não é apenas a resposta de frequência para mim, é difícil para mim imaginar toda essa curiosidade e insanidade. Para não ser considerado original, você também pode martelar pregos com um paquímetro, porque não. Mas é difícil, caro, inconveniente, de má qualidade e... só os idiotas que não distinguem um efeito de um defeito parecerão originais. É tão estúpido construir dissipadores de calor para transistores sem almofada térmica quanto emparelhar várias dezenas de elementos para obter vários watts de potência. Na verdade, o Marquês de Sadd Janus Frankinsteinovich, tecnólogo de rádio.
- raiz
"Doce casal" - 315.361. Tantas coisas estão soldadas neles. Como se fossem feitos especificamente para protoboards com suas conclusões planas, ainda sinto calor quando os pego nas mãos. Ele cresceu em tempos de escassez. Eles estão em uma caixa. Esperando o neto crescer.
Muito nos circuitos antigos eram usados transistores das séries 315 e 361. A propósito, soldei muitas coisas neles, mas a localização das conclusões em si não é muito conveniente. Eu trocaria coletor e emissor ou base. então o layout da placa seria muito mais compacto.
- Greg
Pato, é por isso que ele é vermelho, então nem tudo é como a maioria) Aí, e com a tecnologia desse arranjo de conclusões, existem algumas dificuldades, é mais fácil fazer E_B_K do que E_K_B, mas por algum motivo eles foram por isso. E o contato da fita é excessivamente amplo, o que levou a um aumento injustificado do corpo... Primeira panqueca? Nossa resposta a Chamberlain? Falha na previsão de desenvolvimento? Premissas falsas? A história é silenciosa, mas eu gostaria de examinar os documentos de patentes e direitos autorais, mas isso também é um mistério.
Pelo que me lembro, nos gravadores, o KT315-KT361 foi substituído pelo KT208-KT209, KT502-KT503 e depois pelo KT3102-KT3107. Se algum desses transistores estiver disponível, você pode tentar selecioná-los de acordo com os parâmetros, claro que o resultado não é garantido e seus casos são diferentes.
Se não for de interesse esportivo que tudo seja como o projetista do alto-falante pretendia, ainda mais no amplificador todos os transistores queimados, então eu inseriria alguma placa de circuito de amplificador operacional moderna no alto-falante.
O que pode ser substituído por esses trans? Para quais transferências
Olá a todos, estou com um problema com esses trânsitos;
- Greg
O administrador já escreveu acima, mas repito, com mais detalhes. O substituto mais apropriado, pela maioria dos parâmetros, para o par KT315/KT361 é KT502/KT503. Adequado para a maioria das soluções esquemáticas, mesmo sem recálculo de circuitos de acionamento e corretivos. Se a ênfase esquemática estiver no processamento de sinal discreto e chave, você poderá usar KT3102 / KT3107, que geralmente é ainda melhor. KT208 / KT209 também são bastante adequados. Mas, se usado em circuitos de amplificação analógicos, é melhor corrigir os circuitos de acionamento.
Em amplificadores de som, você pode colocar MP41A e MP37A em um par em vez de KT361 e, consequentemente, KT315. Por que com a letra A a tensão para MP37A é de 30 Volts, para outras letras é inferior a 20 Volts. O MP41 pode ser substituído por MP42, MP25, MP26, os dois últimos possuem tensão mínima de 25 e 40 Volts, então é preciso observar a tensão da fonte de alimentação. Geralmente 12 ou 25 volts em amplificadores mais antigos.
Embora eu estivesse atrasado para o Radio Day, ainda escreverei sobre o KT315. Este transistor foi visto e soldado por muitos, mas hoje veremos como é o KT315 produzido em anos diferentes, qual é o seu design e compare seu design com análogos estrangeiros modernos.
Sobre produção
KT315 - o primeiro transistor produzido de acordo com as últimas tendências da moda do final dos anos 60 - é um transistor epitaxial planar, ou seja, coletor, emissor e base são fabricados sequencialmente em uma pastilha de silício: uma pastilha de silício é retirada, dopada no tipo n (este será o coletor), então a dopagem é realizada até uma certa profundidade no tipo p (esta será a base), e então dopar novamente de cima para uma profundidade menor para digitar n (este será o emissor). A seguir, o prato deve ser cortado em pedaços e acondicionado em uma caixa plástica.Esse processo de fabricação era muito mais barato que a tecnologia de liga e possibilitou a obtenção de parâmetros de transistores anteriormente impensáveis (em particular, uma frequência operacional de 250-300 MHz).
A próxima novidade, que levou à redução do custo de produção, foi a instalação de um cristal não em uma caixa de metal, mas em uma fita de metal com fios: um cristal, na parte inferior do qual o coletor foi soldado ao condutor central, e a base e o emissor foram conectados por um fio soldado. Aí tudo isso foi preenchido com plástico, as partes extras da fita foram cortadas - e o KT315 ficou do jeito que costumávamos ver.
Explicações para a figura à direita: a - traçado e separação da placa em cristais com estruturas prontas; b - soldar cristais à fita; c - conexão da saída; g - aparar a fita; d - vedação; e - extração do molde; g - recorte da fita e separação de diodos/transistores; 1 - fita; 2 - cristal; 3 - saída de cristal
A produção em série começou em 1967-1968, para meros mortais o preço inicialmente era de 4 rublos por transistor. Mas já em meados dos anos 70, caiu para 15-20 copeques, o que o tornou um transistor verdadeiramente acessível. Com um salário de engenheiro de 120 rublos, era possível comprar 600 transistores por mês. A propósito, agora pelo salário condicional de um engenheiro de 45 mil rublos, você pode comprar 121 "000 transistores BC856B, então o padrão de vida do transistor do engenheiro aumentou 201 vezes
Vale ressaltar que os primeiros dispositivos montados no KT315 foram transistores (os microcircuitos só ganhavam força) “calculadoras” Electronics DD e Electronics 68.
Esta é a coleção que encontrei:
Aqueles onde não há sinalização do fabricante são KT361, opção pnp. O resto, com o logotipo - KT315 (mesmo que a “letra esteja no centro”). Vale ressaltar que na época economia planejada, preços fixos e ausência formal de especulação - o preço às vezes era escrito diretamente nos transistores.
O que há dentro?
O transistor mais antigo que encontrei é o KT315A, lançado em março de 1978.Vemos que o cristal está longe de ser idealmente separado da placa, há muito espaço não utilizado ao redor do transistor.
Aqui o próprio cristal é um coletor, no centro, se não me engano, os círculos da base, e ao redor dele está um “cinto” mais largo do emissor. A base, por assim dizer, mergulha sob o emissor e sai com lado reverso argolas.
Aqui você pode ver imediatamente que o espaço é gasto de forma muito mais econômica, o cristal é cortado quase perfeitamente, pequenos defeitos não críticos na fotolitografia são perceptíveis, aparentemente a fotolitografia de contato ainda é usada aqui. No entanto, isso é suficiente para transistores.
Comparação
Se compararmos em escala com um transistor NXP BC847B moderno, podemos ver que o tamanho foi reduzido em um fator de 2 devido à “quadratura”, mas o transistor em si não mudou fundamentalmente - o mesmo coletor está no “ parte inferior” do cristal e os fios do emissor e da base.Vale ressaltar que no BC847 a largura/altura do cristal é quase igual à espessura do wafer, este é quase um cubo de silício, não uma placa. É difícil reduzir ainda mais a área, pelo menos sem desbaste adicional da placa (o afinamento da placa está escrito corretamente).
Futuro
O KT315 está morto? Definitivamente não. Até agora, por exemplo, está nas listas de preços do Integral por 248 rublos bielorrussos (~ 1 rublo russo), ou seja, provavelmente ainda em produção. Claro, com o desenvolvimento da edição automática placas de circuito impresso ele teve que dar lugar a opções SMD, como KT3129 e KT3130 e muitas outras, incluindo análogos estrangeiros BC846-BC848, BC856-BC858.Transistores n-p-n planos epitaxiais de silício do tipo KT315 e KT315-1 (um par complementar a eles). Destinam-se ao uso em amplificadores de altas, intermediárias e baixas frequências, são utilizados diretamente em equipamentos radioeletrônicos fabricados para engenharia civil e para exportação. Os transistores KT315 e KT315-1 são produzidos em uma caixa plástica com cabos flexíveis. O transistor KT315 é fabricado no pacote KT-13. Posteriormente, o KT315 passou a ser produzido no pacote KT-26 (um análogo estrangeiro do TO92), os transistores deste pacote receberam um “1” adicional na designação, por exemplo, KT315G1. A caixa protege de forma confiável o cristal do transistor contra danos mecânicos e químicos. Os transistores KT315H e KT315H1 são projetados para uso em televisão em cores. Os transistores KT315P e KT315R1 são projetados para uso no gravador de vídeo Electronics - VM. Os transistores são fabricados na versão climática UHL e em versão única, adequados tanto para montagem manual quanto automatizada de equipamentos.
KT315 foi produzido pelas seguintes empresas: Elektropribor, Fryazino, Kvazar, Kiev, Continent, Zelenodolsk, Quartzite, Ordzhonikidze, Elkor Production Association, República de Kabardino-Balkaria, Nalchik, NIIPP, Tomsk, Production Association "Electronics", Voronezh, em 1970 a sua produção também foi transferida para a Polónia, para a empresa Unitra CEMI.
Como resultado das negociações em 1970, em termos de cooperação, a produção de transistores KT315 foi transferida para a Polónia pela Associação Voronezh "Electronics". Para tal, a oficina foi totalmente desmontada em Voronezh e, no menor tempo possível, juntamente com o fornecimento de materiais e componentes, foi transportada, montada e lançada em Varsóvia. Este centro de pesquisa e produção de eletrônicos, fundado em 1970, era um fabricante de semicondutores na Polônia. A Unitra CEMI acabou falindo em 1990, deixando o mercado polonês de microeletrônica aberto a empresas estrangeiras. Site do museu da empresa Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/. Ao final da existência da URSS, o número total de transistores KT315 produzidos ultrapassava 7 bilhões.
O transistor KT315 é produzido até hoje por várias empresas: CJSC Kremniy, Bryansk, SKB Elkor, República de Kabardino-Balkaria, Nalchik, fábrica NIIPP, Tomsk. O transistor KT315-1 é produzido por: Kremniy CJSC, Bryansk, Transistor Plant, República da Bielorrússia, Minsk, Eleks JSC, Aleksandrov, região de Vladimir.
Um exemplo da designação de transistores KT315 no pedido e na documentação de projeto de outros produtos: “Transistor KT315A ZhK.365.200 TU / 05”, para transistores KT315-1: “Transistor KT315A1 ZhK.365.200 TU / 02”.
Breves características técnicas dos transistores KT315 e KT315-1 são apresentadas na tabela 1.
Tabela 1 - Breves características técnicas dos transistores KT315 e KT315-1
Tipo | Estrutura | P K máx , P K * t.máx, mW | fgr, MHz | U KBO máx., U КЭR*max, EM | U EBO máx., EM | Eu K máx., mA | Eu KBO, vocêA | 21h, 21E* | CK, pF | r CE nós, Ohm | rb, Ohm | τ para, obs: |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KT315A1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315B1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315В1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315G1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315D1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Е1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Zh1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 15 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...250 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315I1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 60 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30 (10V; 1mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315H1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | – | – | – |
KT315R1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 150...350 (10 V; 1 mA) | ≤7 | – | – | – |
KT315A | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...120* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315B | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
KT315V | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30...120* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
KT315G | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
KT315D | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40* (10k) | 6 | 100 | ≤0,6 | 20...90 (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
KT315E | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35* (10k) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
KT315Zh | n-p-n | 100 | ≥250 | 20* (10k) | 6 | 50 | ≤0,6 | 30...250* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤25 | – | ≤800 |
KT315I | n-p-n | 100 | ≥250 | 60* (10k) | 6 | 50 | ≤0,6 | ≥30* (10V; 1mA) | ≤7 | ≤45 | – | ≤950 |
KT315N | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10k) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤5,5 | – | ≤1000 |
KT315R | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10k) | 6 | 100 | ≤0,5 | 150...350* (10 V; 1 mA) | ≤7 | ≤20 | – | ≤500 |
Observação:
1. I KBO - corrente reversa do coletor - corrente através da junção do coletor em uma determinada tensão reversa base-coletor e saída de emissor aberto, medida em U KB = 10 V;
2. I K max - a corrente CC máxima permitida do coletor;
3. U KBO max é a tensão de ruptura da base do coletor em uma determinada corrente reversa do coletor e um circuito emissor aberto;
4. U EBO max - tensão de ruptura emissor-base em uma determinada corrente reversa do emissor e circuito coletor aberto;
5. U КЭR max - tensão de ruptura coletor-emissor em uma determinada corrente de coletor e uma determinada resistência (final) no circuito base-emissor;
6. P K.t max - dissipação de potência constante do coletor com dissipador de calor;
7. P K max - dissipação de potência constante máxima permitida do coletor;
8. r b - resistência de base;
9. r KE us - resistência de saturação entre coletor e emissor;
10. C K - capacitância da junção do coletor, medida em U K = 10 V;
11. f grp - frequência de corte do coeficiente de transferência de corrente do transistor para o circuito com emissor comum;
12. h 2le - coeficiente de realimentação de tensão do transistor no modo de baixo sinal para circuitos com emissor comum e base comum, respectivamente;
13. h 2lЭ - para um circuito com emissor comum em modo de sinal grande;
14. τ to - a constante de tempo do circuito de feedback em alta frequência.
Dimensões do transistor KT315
Transistor tipo caixa KT-13. A massa de um transistor não é superior a 0,2 G. A magnitude da força de tração é de 5 N (0,5 kgf). A distância mínima da curva de saída do corpo é de 1 mm (marcada como L1 na figura). Temperatura de soldagem (235 ± 5) °С, distância do corpo ao ponto de soldagem 1 mm, tempo de soldagem (2 ± 0,5) s. Os transistores devem suportar o calor gerado na temperatura de soldagem (260 ± 5) °C por 4 segundos. As conclusões devem permanecer soldáveis por 12 meses a partir da data de fabricação, observadas as modalidades e regras de soldagem especificadas na seção “Instruções de Operação”. Os transistores são resistentes à mistura álcool-gasolina (1:1). Os transistores KT315 são à prova de fogo. As dimensões gerais do transistor KT315 são mostradas na Figura 1.
Figura 1 - Marcação, pinagem e dimensões gerais do transistor KT315
Dimensões do transistor KT315-1
Transistor tipo caixa KT-26. A massa de um transistor não é superior a 0,3 G. A distância mínima da curva do cabo da caixa é de 2 mm (indicada como L1 na figura). Temperatura de soldagem (235 ± 5) °С, distância do corpo ao ponto de soldagem de pelo menos 2 mm, tempo de soldagem (2 ± 0,5) s. Os transistores KT315-1 são à prova de fogo. As dimensões gerais do transistor KT315-1 são mostradas na Figura 2.
Figura 2 - Marcação, pinagem e dimensões gerais do transistor KT315-1
pinagem do transistor
Se você colocar o transistor KT315 com a marcação afastada de você (como mostrado na Figura 1) com os pinos voltados para baixo, o pino esquerdo será a base, o pino central será o coletor e o pino direito será o emissor.
Se você colocar o transistor KT315-1 ao contrário com a marcação voltada para você (conforme mostrado na Figura 2) com os pinos também para baixo, então o pino esquerdo é o emissor, o pino central é o coletor e o pino direito é o base.
Marcação de transistor
Transistor KT315. O tipo de transistor está indicado na etiqueta, e o grupo foi indicado em forma de letra na caixa do aparelho. A caixa indica o nome completo do transistor ou apenas a letra, que é deslocada para a borda esquerda da caixa. A marca registrada da planta não pode ser indicada. A data de emissão é colocada em designação digital ou codificada (neste caso, apenas pode ser indicado o ano de emissão). O ponto na marcação do transistor indica sua aplicabilidade - como parte da televisão em cores. Os antigos transistores KT315 (produzidos antes de 1971) eram marcados com uma letra no meio da caixa. Ao mesmo tempo, os primeiros números foram marcados com apenas uma letra maiúscula e, por volta de 1971, mudaram para as habituais duas linhas. Um exemplo de marcação de um transistor KT315 é mostrado na Figura 1. Deve-se notar também que o transistor KT315 foi o primeiro transistor codificado em massa em uma caixa de plástico em miniatura KT-13. A grande maioria dos transistores KT315 e KT361 (as características são as mesmas do KT315 e a condutividade é p-n-p) foram lançadas em caixas amarelas ou vermelho-laranja, transistores rosa, verdes e pretos são muito menos comuns. Além da letra que indica o grupo, a marca da planta e a data de fabricação, a marcação dos transistores destinados à venda também incluía o preço de varejo, por exemplo, “ts20k”, que significava o preço de 20 copeques.
Transistor KT315-1. O tipo de transistor também está indicado na etiqueta, e o nome completo do transistor está indicado na caixa, e os transistores também podem ser marcados com um código. Um exemplo de marcação de um transistor KT315-1 é mostrado na Figura 2. A marcação de um transistor com uma marca de código é mostrada na Tabela 2.
Tabela 2 - Marcação do transistor KT315-1 com marca de código
tipo de transistor | Marca de marcação no corte superfície lateral do corpo | Marca de marcação no final do corpo |
---|---|---|
KT315A1 | triângulo verde | ponto vermelho |
KT315B1 | triângulo verde | ponto amarelo |
KT315В1 | triângulo verde | ponto Verde |
KT315G1 | triângulo verde | ponto azul |
KT315D1 | triângulo verde | ponto azul |
KT315Е1 | triângulo verde | ponto branco |
KT315Zh1 | triângulo verde | dois pontos vermelhos |
KT315I1 | triângulo verde | dois pontos amarelos |
KT315H1 | triângulo verde | dois pontos verdes |
KT315R1 | triângulo verde | dois pontos azuis |
Instruções para uso e operação de transistores
A principal finalidade dos transistores é atuar em estágios amplificadores e outros circuitos de equipamentos eletrônicos. É permitida a utilização de transistores fabricados na versão climática usual em equipamentos projetados para operação em todas as condições climáticas, quando os transistores são revestidos diretamente no equipamento com vernizes (em 3 - 4 camadas) do tipo UR-231 conforme TU 6 -21-14 ou EP-730 de acordo com GOST 20824 seguido de secagem. O valor permitido do potencial estático é 500 V. A distância mínima permitida da caixa até o local de estanhamento e soldagem (ao longo do comprimento do cabo) é de 1 mm para o transistor KT315 e 2 mm para o transistor KT315-1. O número de resoldas permitidas de pinos durante as operações de montagem (montagem) é um.
Fatores de influência externa
Impactos mecânicos para grupo 2 tabela 1 em GOST 11630, incluindo:
– vibração sinusoidal;
– faixa de frequência 1-2000 Hz;
– amplitude de aceleração 100 m/s 2 (10g);
– aceleração linear 1000 m/s 2 (100g).
Impactos climáticos - de acordo com GOST 11630, incluindo: aumento da temperatura operacional do meio em 100 °C; temperatura operacional reduzida do meio menos 60 °C; mudança da temperatura média de menos 60 para 100 °С. Para transistores KT315-1, a mudança na temperatura do meio de menos 45 para 100 °C
Confiabilidade do Transistor
A taxa de falha dos transistores durante o tempo de operação é superior a 3×10 -7 1/h. Tempo de operação dos transistores t n = 50.000 horas. Vida útil de 98% do transistor de 12 anos. A embalagem deve proteger os transistores da eletricidade estática.
Análogos estrangeiros do transistor KT315
Análogos estrangeiros do transistor KT315 são mostrados na Tabela 3. Informações técnicas (folha de dados) para análogos estrangeiros do transistor KT315 também podem ser baixadas na tabela abaixo. Os preços abaixo são de 08.2018.
Tabela 3 - Análogos estrangeiros do transistor KT315
Doméstico transistor | Estrangeiro análogo | Oportunidade comprar | Empresa fabricante | Um país fabricante |
---|---|---|---|---|
KT315A | Não | Unidade CEMI | Polônia | |
KT315B | Não | Unidade CEMI | Polônia | |
KT315V | Não | Unidade CEMI | Polônia | |
KT315G | Não | Unidade CEMI | Polônia | |
KT315D | Há | Hitachi | Japão | |
KT315E | sim ~ 4$ | Semicondutor Central | EUA | |
KT315Zh | sim ~9$ | Sprague Electric Corp. | EUA | |
Há | ITT Intermetall GmbH | Alemanha | ||
KT315I | sim ~ 16$ | Semicondutor de Nova Jersey | EUA | |
Há | Sony | Japão | ||
KT315N | sim ~ 1$ | Sony | Japão | |
KT315R | Não | Unidade CEMI | Polônia |
O protótipo estrangeiro do transistor KT315-1 são os transistores 2SC544, 2SC545, 2SC546, Sanyo Electric, Japão. Os transistores 2SC545, 2SC546 também podem ser adquiridos, o preço estimado é de cerca de US$ 6.
Principais características técnicas
Os principais parâmetros elétricos dos transistores KT315 na aceitação e entrega são fornecidos na Tabela 4. Os modos de operação máximos permitidos do transistor são fornecidos na Tabela 5. As características de corrente-tensão dos transistores KT315 são mostradas nas Figuras 3 - 8. As dependências de os parâmetros elétricos dos transistores KT315 sobre os modos e condições de sua operação são apresentados nas figuras 9 a 19.
Tabela 4 - Parâmetros elétricos dos transistores KT315 na aceitação e entrega
Nome do parâmetro (modo de medição) unidades | Carta designação | Norma parâmetro | Temperatura, °C | |
---|---|---|---|---|
pelo menos | não mais | |||
Tensão limite (I C =10 mA), V KT315A, KT315B, KT315Zh, KT315N KT315V, KT315D, KT315I KT315G, KT315E, KT315R | Você (CEO) | 15 30 25 | – | 25 |
(I C =20 mA, I B =2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315R KT315D, KT315E KT315Zh KT315I | UCEsat | – | 0,4 |
|
Tensão de saturação coletor-emissor (I C = 70 mA, I B = 3,5 mA), V KT315N | UCEsat | – | 0,4 | |
Tensão de saturação base-emissor (I C =20 mA, I B =2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KTZ I5P KT315D, KT315E KT315Zh KT315I | Você está sentado | – | 1,0 |
|
KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E, KT315J, KG315I | Eu CBO | – | 0,5 0,6 | 25, -60 |
Corrente reversa do coletor (U CB = 10 V), μA KT3I5A KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E | Eu CBO | – | 10 15 | 100 |
Corrente reversa do emissor (U EB \u003d 5 V) μA KT315A - KG315E, KT315Zh, XT315N KT315I KT315R | Eu EBO | – | 30 50 3 | 25 |
, (R BE =10 kOhm U CE =25 V), mA, KT3I5A (R BE = 10 kOhm U CE = 20 V), mA, KT315B, KT315N (R BE = 10 kOhm U CE = 40 V), mA KT315V (R BE = 10 kOhm U CE = 35 V), mA, KT315G (R BE = 10 kOhm U CE = 40 V), mA, KT315D (R BE = 10 kOhm U CE = 35 V), mA, KT315E | EU CER | – | 0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005 |
|
Corrente reversa coletor-emissor (R BE = 10 kOhm U CE = 35 V), mA, KT315R | EU CER | – | 0,01 | 100 |
Corrente reversa coletor-emissor (U CE =20 V), mA, KT315ZH (U CE =60 V), mA, KT315I | Eu CES | – | 0,01 0,1 | 25, -60 |
Corrente reversa coletor-emissor (U CE =20 V), mA, KT3I5Ж (U CE =60 V), mA, KT3I5I | Eu CES | – | 0,1 0,2 | 100 |
Taxa de transferência de corrente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KT315D KT315Zh KT315I KT315R | 21h00 | 30 | 120 | 25 |
Taxa de transferência de corrente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KTZ15B, KT315G, KT315E, KT315N KT315D KT315Zh KT315I KT315R | 21h00 | 30 | 250 | 100 |
Taxa de transferência de corrente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KTZ15B, KT315G, KT315E, KT315N KT315D KT315Zh KT315I KT315R | 21h00 | 5 | 120 | -60 |
Módulo de taxa de transferência atual em alta frequência (U CB = 10 V, I E = 5 mA, f = 100 MHz) | |h 21E | | 2,5 | – | 25 |
capacitância da junção do coletor (UCB = 10 V, f = 10 MHz), pF | C C | – | 7 | 25 |
Tabela 5 - Modos de operação máximos permitidos do transistor KT315
Parâmetro, unidade | Designação | Norma de parâmetro | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KG315A | KG315B | KG315V | KG315G | KTZ15D | KG315E | KG315J | KG315I | KT315N | KT315R | ||
Máx. tensão CC coletor-emissor permitida, (R BE = 10 kOhm), V 1) | U CERmax | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
Máx. tensão coletor-emissor constante permitida em caso de curto-circuito no circuito emissor-base, V 1) | U CES máx. | – | – | – | – | – | – | 20 | 60 | – | – |
Máx. base do coletor de tensão CC permitida, V 1) | UCB máx. | 25 | 20 | 40 | 35 | 40 | 35 | – | – | 20 | 35 |
Máx. base emissora de tensão constante permitida, V 1) | U EB máx. | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
Máx. corrente CC permitida do coletor, mA 1) | Eu Cmax | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
Máx. dissipação de potência constante permitida do coletor, mW 2) | PC máx. | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
Máx. temperatura de transição permitida, ⁰С | tj máximo | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 | 125 |
Observação:
1. Para toda a faixa de temperatura operacional.
2. Em t atv de menos 60 a 25 °С. Quando a temperatura sobe acima de 25 °C, P C max é calculado pela fórmula:
onde R t hjα é a resistência térmica total do ambiente de transição, igual a 0,5 °C/mW.
Figura 3 - Característica típica de entrada dos transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315RFigura 4 - Característica típica de entrada dos transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315R
em U CE \u003d 0, t atv \u003d (25 ± 10) ° С Figura 5 – Características típicas de saída de transistores como KT315A, KT315V, KT315D, KT315I
em t atv = (25±10) °С Figura 6 – Características típicas de saída de transistores como KT315B, KT315G, KT315E, KT315N
em t atv = (25±10) °С Figura 7 – Características típicas de saída
transistor KT315Zh em t atv = (25±10) °С Figura 8 – Características típicas de saída
transistor KT315R em t atv = (25±10) °С Figura 9 - Dependência da tensão de saturação coletor-emissor da corrente direta do coletor para transistores do tipo KT315A - KT315I, KT315N, KT315R em I C / I B = 10,
t atv \u003d (25 ± 10) °С Figura 10 - Dependência da tensão de saturação base-emissor da corrente do coletor DC para transistores do tipo KT315A - KT315I, KT315N, KT315R em I C / I B = 10, t atv = (25 ± 10) ° С Figura 11 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente constante do emissor para transistores KT315A, KT315V, KT315D, KT315I em U CB = 10,
t atv \u003d (25 ± 10) °С Figura 12 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente contínua do emissor para transistores KT315B, KT315G, KT315E, KT315N em U CB = 10,
t atv \u003d (25 ± 10) °С Figura 13 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente constante do emissor para o transistor KT315Zh em U CB = 10, t atv = (25±10) °С Figura 14 - Dependência do coeficiente de transferência de corrente estática da corrente constante do emissor para o transistor KT315R em U CB = 10, t atv = (25 ± 10) ° С Figura 15 - Dependência do módulo do coeficiente de transferência de corrente em alta frequência da corrente contínua do emissor em U CB = 10, f = 100 MHz, t atv = (25±10) °С Figura 16 - Dependência da constante de tempo do circuito de realimentação em alta frequência da tensão coletor-base em I E = 5 mA, t atv = (25 ± 10) ° С para KT315A Figura 17 - Dependência da constante de tempo do circuito de feedback em alta frequência da tensão base do coletor em I E \u003d 5 mA, t atv \u003d (25 ± 10) ° С para KT315E, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R Figura 18 - Dependência da constante de tempo do circuito de realimentação em alta frequência da corrente do emissor em U CB = 10 V, f = 5 MHz, t atv = (25 ± 10) ° С para
KT315A
A designação do transistor KT315B nos diagramas
Sobre diagramas de circuito o transistor é indicado por um código de letras e um gráfico condicional. O código da letra consiste nas letras latinas VT e em um número (número de série no diagrama). A designação gráfica convencional do transistor KT315B é geralmente colocada em um círculo, simbolizando seu corpo. Um pequeno traço com uma linha do meio simboliza a base, duas linhas inclinadas desenhadas em suas bordas em um ângulo de 60° - o emissor e o coletor. O emissor possui uma seta apontando para fora da base.
Características do transistor KT315B
- Estrutura n-p-n
- Tensão máxima permitida (pulso) da base do coletor 20 V
- A tensão coletor-emissor máxima permitida (pulso) 20 V
- A corrente de coletor direta (pulso) máxima permitida 100 mA
- Dissipação de energia contínua máxima permitida do coletor sem dissipador de calor (com dissipador de calor) 0,15 W
- Coeficiente de transferência de corrente estática de um transistor bipolar em um circuito emissor comum 50-350
- Corrente reversa do coletor
- Frequência limite do coeficiente de transferência de corrente em um circuito com emissor comum =>250 MHz
Análogos do transistor KT315B
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Transistores das séries KT315 e KT 361 |
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Uma série desses transistores de silício é muito popular, desde o século passado até os dias atuais. Entre outras coisas, eles têm um pacote muito conveniente e cabos para montagem em superfície. Esses transistores são muito amigáveis com microcontroladores e são frequentemente usados como estágios de buffer entre microcontroladores e periféricos. A disponibilidade e o preço desta série agradam a qualquer radioamador, você pode levá-la imediatamente em baldes. As funções nos circuitos de rádio desses transistores são muito diversas. A alta frequência de corte permite que você faça geradores até a faixa VHF. Em amplificadores de áudio de baixa potência, eles também se mostraram bem. A cor da caixa do transistor pode ser amarela, verde, vermelha, não encontrei outras. |
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Agora um pouco mais sobre os casos: Transistor KT315BSe você estiver olhando para o logotipo do transistor e suas pernas estiverem apontando para baixo. A coisa mais simples aqui é inserir um transistor em um multímetro onde há um teste de transistor. A série 315 é cristal n-p-n, 361 série pnp cristal. |
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A segunda opção é medir a condutividade das junções com um multímetro (base-emissor, base-coletor). |
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E por último, é assim que os distingo: Tudo é muito simples para o KT315, a letra do logotipo fica à esquerda, enquanto para o KT361 fica no meio. |
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Informações sobre análogos do transistor npn bipolar de alta frequência BC847C.
Esta página contém informações sobre análogos do transistor npn bipolar de alta frequência BC847C.
Antes de substituir o transistor por um similar, !OBRIGATÓRIO! compare os parâmetros do transistor original e do analógico oferecido na página. Tome a decisão de substituir após comparar as características, levando em consideração o esquema específico de aplicação e o modo de operação do dispositivo.
Você pode tentar substituir o transistor BC847C
transistor 2N2222;
transistor BC547C;
transistor
transistor FMMTA06;
transistor
Mente coletiva.
Adicionado pelos usuários:
data de entrada: 31/05/2016 01:30:30
Adicione o transistor analógico BC847C.
Você conhecer um par analógico ou complementar transistor BC847C?
KT315: análogos no mundo
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Conteúdo da referência do transistor
Parâmetros de transistores de efeito de campo de canal n.
Parâmetros dos transistores de efeito de campo do canal p.
Adicione uma descrição do FET.
Parâmetros de transistores npn bipolares de baixa frequência.
Parâmetros de transistores pnp bipolares de baixa frequência.
Parâmetros de transistores npn bipolares de alta frequência.
Parâmetros de transistores pnp bipolares de alta frequência.
Parâmetros de transistores bipolares de microondas npn.
Parâmetros de transistores bipolares de microondas pnp.
Adicione uma descrição do transistor bipolar.
Parâmetros de transistores bipolares de porta isolada (IGBT, IGBT).
Adicione uma descrição do transistor bipolar de porta isolada.
Procure um transistor marcando.
Procure um transistor bipolar por parâmetros básicos.
Procure um transistor de efeito de campo por parâmetros básicos.
Procure IGBTs por parâmetros básicos.
Tamanhos de caixas de transistores.
Lojas de componentes eletrônicos.
Espera-se que o manual do transistor seja útil para rádios amadores, designers e estudantes experientes e novatos. A todos aqueles que, de uma forma ou de outra, se deparam com a necessidade de aprender mais sobre os parâmetros dos transistores. Informações mais detalhadas sobre todas as funcionalidades deste diretório online podem ser encontradas na página "Sobre o site".
Se você notar um erro, um grande pedido para escrever uma carta.
Obrigado pela sua paciência e cooperação.
Transistores KT817A, KT817B, KT817V, KT817G.
transistores KT817, - silício, estruturas universais e poderosas de baixa frequência - n-p-n.
Projetado para uso em amplificadores, conversores e circuitos de pulso de baixa frequência.
O case é de plástico, com cabos flexíveis.
Peso - cerca de 0,7 G. A marcação é alfanumérica, na superfície lateral da caixa, podendo ser de dois tipos.
Marcação codificada de quatro dígitos em uma linha e não codificada em duas. O primeiro caractere na marcação codificada KT817 é o número 7, o segundo caractere é uma letra que denota a classe. Os próximos dois caracteres indicam o mês e o ano de emissão. Nas marcações não codificadas, o mês e o ano são indicados na linha superior. A figura abaixo mostra a pinagem e marcação KT817.
Os parâmetros mais importantes.
Taxa de transferência atual para transistores KT817A, KT817B, KT817V - 20
.
No transistor KT817G - 15
.
Frequência de corte da taxa de transferência atual — 3 MHz.
Tensão máxima coletor-emissor. No transistor KT817A - 25
V.
Para transistores KT817B - 45
V.
No transistor KT817V - 60
V.
No transistor KT817G - 80
V.
Corrente máxima do coletor. — 3 A. Dissipação de energia do coletor— 1 W, sem dissipador de calor, 25 W - com dissipador de calor.
Tensão de saturação base-emissor 1,5 V.
Tensão de saturação coletor-emissor com corrente de coletor de 3A e base de 0,3A - não mais 0,6 V.
Corrente reversa do coletor para transistores KT817A em uma tensão de base de coletor 25 c, transistores KT817B na tensão da base do coletor 45 c, transistores KT817V na tensão de base do coletor 60 c, transistores KT817G na tensão de base do coletor 100 V - 100 vocêA.
capacitância da junção do coletor a uma tensão de base do coletor de 10 V, a uma frequência de 1 MHz - não mais que - 60 PF.
Capacitância da junção do emissor a uma tensão base do emissor de 0,5 V - 115 PF.
Gratuito(semelhante em parâmetros, mas condutividade oposta) transistor - KT816.
Análogos estrangeiros dos transistores KT817.
KT817A - TIP31A
KT817B - TIP31B
KT817V-TIP31C
KT817G-2N5192.
Transistores - compre... ou encontre de graça.
Onde você pode encontrar transistores soviéticos agora?
Basicamente, existem duas opções aqui: comprar ou receber de graça, durante a desmontagem do lixo eletrônico antigo.
Durante o colapso industrial do início da década de 1990, formaram-se stocks bastante significativos de alguns componentes eletrónicos. Além disso, a produção de eletrônicos domésticos nunca parou completamente e não para até hoje. Isso explica o fato de que muitos detalhes da época passada ainda podem ser comprados. Caso contrário, sempre existem análogos importados mais ou menos modernos. Onde e como é a maneira mais fácil de comprar transistores? Se descobrir que não existe uma loja especializada perto de você, você pode tentar comprar as peças necessárias encomendando-as pelo correio. Você pode fazer isso acessando a loja do site, por exemplo - "Gulliver".
Se você tiver algum equipamento antigo e desnecessário - TVs, gravadores, receptores quebrados, etc.
Pós-navegação
etc. - você pode tentar obter transistores (e outros detalhes) dele.
A maneira mais fácil é com KT315. Em qualquer equipamento industrial e doméstico, desde meados da década de 70 do século XX até ao início da década de 90, pode ser encontrado em quase todo o lado.
O KT3102 pode ser encontrado nos estágios preliminares de amplificadores de gravadores - "Electronics", "Vega", "Mayak", "Wilma", etc. etc.
KT817 - nos estabilizadores das fontes de alimentação dos mesmos gravadores, às vezes nos estágios finais dos amplificadores de som (em Vega RM-238C, RM338C, etc.)
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Talvez não exista nenhum dispositivo eletrônico mais ou menos complexo produzido na URSS durante as décadas de setenta, oitenta e noventa, em cujo circuito não fosse utilizado o transistor KT315. Ele não perdeu popularidade até hoje.
A designação utiliza a letra K, que significa "silício", como a maioria dos dispositivos semicondutores fabricados desde então. O número “3” significa que o transistor KT315 pertence ao grupo de dispositivos de banda larga de baixa potência.
A caixa de plástico não implicava alta potência, mas era barata.
O transistor KT315 foi produzido em duas versões, plana (laranja ou amarela) e cilíndrica (preta).
Para facilitar a determinação da forma de montagem, é feito um chanfro na sua parte “frontal” em versão plana, o coletor fica no meio, a base fica à esquerda, o coletor fica à direita.
O transistor preto tinha um corte plano, se você colocar o transistor voltado para você, o emissor fica à direita, o coletor fica à esquerda e a base fica no meio.
A marcação consistia em uma letra, dependendo da tensão de alimentação permitida, de 15 a 60 volts. A potência também depende da letra, pode chegar a 150 mW, e isso com dimensões microscópicas para aquela época - a largura é sete, a altura é seis e a espessura é inferior a três milímetros.
O transistor KT315 é de alta frequência, o que explica a amplitude de sua aplicação. até 250 MHz garante seu funcionamento estável em circuitos de rádio de receptores e transmissores, bem como em amplificadores de alcance.
Condutividade - reversa, n-p-n. Para um par, ao utilizar um circuito de amplificação push-pull, foi criado o KT361, com condução direta. Externamente, esses “irmãos gêmeos” praticamente não diferem, apenas a presença de duas marcas pretas indica condutividade p-n-p. Outra opção de marcação, a letra fica exatamente no meio da caixa, e não na borda.
Apesar de todas as suas vantagens, o transistor KT315 também tem uma desvantagem. Seus terminais são planos, finos e quebram com muita facilidade, por isso a instalação deve ser feita com muito cuidado. Porém, mesmo depois de estragar a peça, muitos radioamadores conseguiram consertá-la serrando um pouco o corpo e “mergulhando” o fio, embora isso seja difícil, e não houvesse nenhum ponto especial.
O caso é tão peculiar que indica com precisão a origem soviética do KT315. Você pode encontrar um análogo para ele, por exemplo, BC546V ou 2N9014 - de importações, KT503, KT342 ou KT3102 - de nossos transistores, mas o baixo custo recorde torna esses truques sem sentido.
Bilhões de KT315 foram produzidos e, embora existam microcircuitos nos quais dezenas e centenas desses dispositivos semicondutores são construídos em nosso tempo, às vezes eles ainda são usados para montar circuitos auxiliares simples.